Att parallellkoppla transistorer ska ge halverad förstärkning har jag läst men när jag kopplar så och kollar i min koponentanalysator så är HFE oförändrard...

Blir det trots allt halverad förstärkning när komponenten sitter i en krets?

Var har du läst det?

Det låter ju lite konstigt, om man parallellkopplar andra aktiva komponenter så blir det alltid mera kräm med den kopplningen. ex. parallellkopplade IC-kretsar orkar ju driva en högre last.
" To increase current capability, transistors can be paralelled, "
För att få ut mest måste dom vara matchade och elektriskt intrimmade (med resistorer) annars är risken stor att man inte vinner något på parallellkopplingen.

Hoppas att jag kommer ihåg rätt annars finns det säkert duktiga männsikor som kan hjälpa till att rätta mig.

Per styck isf va? Inte totalt.
Som mR Cool skrev ökad current capability tillsammans och halverad förstärkning per styck.

Nu kan jag banne mig vara ute och cykla.....

Jag tror att det var på "Freestompboxes" som det fanns en tråd om att parallellkoppla (piggyback) transistorer.
Jag har börjat att försöka förstå mig på Fuzzkonstruktion och då SI-transistorer oftast har så mycket högre förstärkning än Germanium så finns det olika tankar om hur man ska försöka efterlikna GE-transistorers beteende/sound.
(Även GE-transistorerna läckage försöker man efterlikna genom att koppla resistorer mellan collector och base).